FQB8N60CFTM

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FQB8N60CFTM

EXSHINE Modèle de produit:EX-FQB8N60CFTM
Fabricant Modèle de produit:FQB8N60CFTM
Fabricant / Marque:Fairchild/ON Semiconductor
Brève description:MOSFET N-CH 600V 6.26A D2PAK
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:FQB8N60CF
Application:-
Poids:-
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FQB8N60CFTM
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263AB)
Séries FRFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 3.13A, 10V
Dissipation de puissance (max) 147W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant FQB8N60CFTM
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1255pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 600V 6.26A (Tc) 147W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Tension drain-source (Vdss) 600V
La description MOSFET N-CH 600V 6.26A D2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.26A (Tc)

Autres

Emballage normal 800

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Distributeur de Fairchild/ON Semiconductor

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