FQD12N20TM

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FQD12N20TM

EXSHINE Modèle de produit:EX-FQD12N20TM
Fabricant Modèle de produit:FQD12N20TM
Fabricant / Marque:Fairchild/ON Semiconductor
Brève description:MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:FQD12N20, FQU12N20D-PAK Tape and Reel Data
Application:-
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FQD12N20TM
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur D-Pak
Séries QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280 mOhm @ 4.5A, 10V
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms FQD12N20TM-ND
FQD12N20TMFSTR
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 6 Weeks
Référence fabricant FQD12N20TM
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 910pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 200V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount D-Pak
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 200V
La description MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9A (Tc)

Autres

Autres noms FQD12N20TM-ND

FQD12N20TMFSTR
Emballage normal 2,500

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Distributeur de Fairchild/ON Semiconductor

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