FQD19N10LTF

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EXSHINE Modèle de produit:	EX-FQD19N10LTF
Fabricant Modèle de produit:	FQD19N10LTF
Fabricant / Marque:	Fairchild/ON Semiconductor
Brève description:	MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
État sans plomb / État RoHS:	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:	New and unused, Original
Datasheet Télécharger:	FQD19N10L, FQU19N10L D-PAK Tape and Reel Data
Application:	-
Poids:	-
Remplacement alternatif:	-

Disponibilité en temps réel pour

FQD19N10LTF
En stock: 11284 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

La description
Paiement
livraison
Emballage

Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur	D-Pak
Séries	QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 7.8A, 10V
Dissipation de puissance (max)	2.5W (Ta), 50W (Tc)
Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Référence fabricant	FQD19N10LTF
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	870pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 5V
type de FET	N-Channel
Fonction FET	-
Description élargie	N-Channel 100V 15.6A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount D-Pak
Tension drain-source (Vdss)	100V
La description	MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	15.6A (Tc)

Autres

Emballage normal	2,000

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