FQH8N100C

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FQH8N100C

EXSHINE Modèle de produit:EX-FQH8N100C
Fabricant Modèle de produit:FQH8N100C
Fabricant / Marque:Fairchild/ON Semiconductor
Brève description:MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:FQH8N100C
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FQH8N100C
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-247
Séries QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.45 Ohm @ 4A, 10V
Dissipation de puissance (max) 225W (Tc)
Emballage Tube
Package / Boîte TO-247-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 37 Weeks
Référence fabricant FQH8N100C
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3220pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 1000V (1kV) 8A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-247
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 1000V (1kV)
La description MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A (Tc)

Autres

Emballage normal 30

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Distributeur de Fairchild/ON Semiconductor

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