FQI8P10TU

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FQI8P10TU

EXSHINE Modèle de produit:EX-FQI8P10TU
Fabricant Modèle de produit:FQI8P10TU
Fabricant / Marque:Fairchild/ON Semiconductor
Brève description:MOSFET P-CH 100V 8A I2PAK
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:FQB8P10, FQI8P10
Application:-
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Remplacement alternatif:-
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FQI8P10TU
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur I2PAK (TO-262)
Séries QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 530 mOhm @ 4A, 10V
Dissipation de puissance (max) 3.75W (Ta), 65W (Tc)
Emballage Tube
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant FQI8P10TU
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 470pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
type de FET P-Channel
Fonction FET -
Description élargie P-Channel 100V 8A (Tc) 3.75W (Ta), 65W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Tension drain-source (Vdss) 100V
La description MOSFET P-CH 100V 8A I2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A (Tc)

Autres

Emballage normal 50

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Distributeur de Fairchild/ON Semiconductor

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