EXSHINE Modèle de produit: | EX-FQP6N60C_F080 |
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Fabricant Modèle de produit: | FQP6N60C_F080 |
Fabricant / Marque: | Fairchild/ON Semiconductor |
Brève description: | MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220 |
État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Condition: | 1 |
Datasheet Télécharger: | FQP(F)6N60CTO220B03 Pkg Drawing |
Application: | - |
Poids: | - |
Remplacement alternatif: | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
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La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | TO-220-3 |
Séries | QFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 2.75A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 125W (Tc) |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | TO-220-3 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant | FQP6N60C_F080 |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 810pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Description élargie | N-Channel 600V 5.5A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
Tension drain-source (Vdss) | 600V |
La description | MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 5.5A (Tc) |
Emballage normal | 50 |
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