FQP6N60C_F080

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FQP6N60C_F080

EXSHINE Modèle de produit:EX-FQP6N60C_F080
Fabricant Modèle de produit:FQP6N60C_F080
Fabricant / Marque:Fairchild/ON Semiconductor
Brève description:MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:1
Datasheet Télécharger:FQP(F)6N60CTO220B03 Pkg Drawing
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
FQP6N60C_F080
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220-3
Séries QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 2.75A, 10V
Dissipation de puissance (max) 125W (Tc)
Emballage Tube
Package / Boîte TO-220-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant FQP6N60C_F080
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 810pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 600V 5.5A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-3
Tension drain-source (Vdss) 600V
La description MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.5A (Tc)

Autres

Emballage normal 50

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Distributeur de Fairchild/ON Semiconductor

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