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FQPF8N60CFT

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FQPF8N60CFT

EXSHINE Modèle de produit:EX-FQPF8N60CFT
Fabricant Modèle de produit:FQPF8N60CFT
Fabricant / Marque:Fairchild/ON Semiconductor
Brève description:MOSFET N-CH 600V 6.26A TO-220F
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:FQPF8N60CF
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
FQPF8N60CFT
En stock: 64806000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220F
Séries FRFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 3.13A, 10V
Dissipation de puissance (max) 48W (Tc)
Emballage Tube
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 6 Weeks
Référence fabricant FQPF8N60CFT
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1255pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 600V 6.26A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220F
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 600V
La description MOSFET N-CH 600V 6.26A TO-220F
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.26A (Tc)

Autres

Emballage normal 50

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Distributeur de Fairchild/ON Semiconductor

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