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HGT1S10N120BNS

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HGT1S10N120BNS

EXSHINE Modèle de produit:EX-HGT1S10N120BNS
Fabricant Modèle de produit:HGT1S10N120BNS
Fabricant / Marque:Fairchild/ON Semiconductor
Brève description:IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:HGT(G,P)10N120BN, HGT1S10N120BNS
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
HGT1S10N120BNS
En stock: 72850 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 10A
Condition de test 960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 23ns/165ns
énergie de commutation 320µJ (on), 800µJ (off)
Package composant fournisseur TO-263AB
Séries -
Puissance - Max 298W
Emballage Tube
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms HGT1S10N120BNS-ND
HGT1S10N120BNSFS
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant HGT1S10N120BNS
Type d'entrée Standard
type de IGBT NPT
gate charge 100nC
Description élargie IGBT NPT 1200V 35A 298W Surface Mount TO-263AB
La description IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 80A
Courant - Collecteur (Ic) (max) 35A

Autres

Autres noms HGT1S10N120BNS-ND

HGT1S10N120BNSFS
Emballage normal 50

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