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HGT1S7N60A4DS

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HGT1S7N60A4DS

EXSHINE Modèle de produit:EX-HGT1S7N60A4DS
Fabricant Modèle de produit:HGT1S7N60A4DS
Fabricant / Marque:Fairchild/ON Semiconductor
Brève description:IGBT 600V 34A 125W TO263AB
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:HGT(G,P)7N60A4D, HGT1S7N60A4DS
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
HGT1S7N60A4DS
En stock: 31088 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 7A
Condition de test 390V, 7A, 25 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 11ns/100ns
énergie de commutation 55µJ (on), 60µJ (off)
Package composant fournisseur TO-263AB
Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 34ns
Puissance - Max 125W
Emballage Tube
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant HGT1S7N60A4DS
Type d'entrée Standard
type de IGBT -
gate charge 37nC
Description élargie IGBT 600V 34A 125W Surface Mount TO-263AB
La description IGBT 600V 34A 125W TO263AB
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 56A
Courant - Collecteur (Ic) (max) 34A

Autres

Emballage normal 50

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