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HGTG10N120BND

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HGTG10N120BND

EXSHINE Modèle de produit:EX-HGTG10N120BND
Fabricant Modèle de produit:HGTG10N120BND
Fabricant / Marque:Fairchild/ON Semiconductor
Brève description:IGBT 1200V 35A 298W TO247
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:HGTG10N120BND
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
HGTG10N120BND
En stock: 99320 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 10A
Condition de test 960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 23ns/165ns
énergie de commutation 850µJ (on), 800µJ (off)
Package composant fournisseur TO-247
Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 70ns
Puissance - Max 298W
Emballage Tube
Package / Boîte TO-247-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant HGTG10N120BND
Type d'entrée Standard
type de IGBT NPT
gate charge 100nC
Description élargie IGBT NPT 1200V 35A 298W Through Hole TO-247
La description IGBT 1200V 35A 298W TO247
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 80A
Courant - Collecteur (Ic) (max) 35A

Autres

Emballage normal 30

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Distributeur de Fairchild/ON Semiconductor

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