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HUF75637S3S

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HUF75637S3S

EXSHINE Modèle de produit:EX-HUF75637S3S
Fabricant Modèle de produit:HUF75637S3S
Fabricant / Marque:Fairchild/ON Semiconductor
Brève description:MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:HUF75637P3, HUF75637S3S
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
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HUF75637S3S
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263AB)
Séries UltraFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 44A, 10V
Dissipation de puissance (max) 155W (Tc)
Emballage Tube
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant HUF75637S3S
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1700pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 108nC @ 20V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 100V 44A (Tc) 155W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Tension drain-source (Vdss) 100V
La description MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 44A (Tc)

Autres

Emballage normal 400

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Distributeur de Fairchild/ON Semiconductor

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