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1N5829R
| EXSHINE Modèle de produit: | EX-1N5829R |
|---|---|
| Fabricant Modèle de produit: | 1N5829R |
| Fabricant / Marque: | GeneSiC Semiconductor |
| Brève description: | DIODE SCHOTTKY REV 20V DO4 |
| État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Condition: | New and unused, Original |
| Datasheet Télécharger: | 1N5829~5831RDO-4 (DO-203AA) Pkg Drawing |
| Application: | - |
| Poids: | - |
| Remplacement alternatif: | - |
Disponibilité en temps réel pour
1N5829R
En stock: 49310 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
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Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
- La description
- Paiement
- livraison
- Emballage
Paramètre du produit
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 580mV @ 25A |
|---|---|
| Tension - inverse (Vr) (max) | 20V |
| Package composant fournisseur | DO-4 |
| La vitesse | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Séries | - |
| Emballage | Bulk |
| Package / Boîte | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Autres noms | 1N5829RGN |
| Température d'utilisation - Jonction | -55°C ~ 150°C |
| Type de montage | Chassis, Stud Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 10 Weeks |
| Référence fabricant | 1N5829R |
| Description élargie | Diode Schottky, Reverse Polarity 20V 25A Chassis, Stud Mount DO-4 |
| Type de diode | Schottky, Reverse Polarity |
| La description | DIODE SCHOTTKY REV 20V DO4 |
| Courant - fuite, inverse à Vr | 2mA @ 20V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io) | 25A |
| Capacité à Vr, F | - |
Autres
| Autres noms | 1N5829RGN |
|---|---|
| Emballage normal | 100 |
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Distributeur de GeneSiC Semiconductor
- Global Power Technologies Group, Inc. («GPTG»), créée en 2007, est une société intégrée de développement et de fabrication dédiée aux produits basés sur les technologies au carbure de silicium (SiC). Ces produits constitueront les fondements des industries de l'électronique de puissance et de l'énergie dans les années à venir, où des technologies de pointe sont nécessaires pour la production, la conversion et le transport d'énergie à faible coût et de haute efficacité.