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FR16K05
| EXSHINE Modèle de produit: | EX-FR16K05 |
|---|---|
| Fabricant Modèle de produit: | FR16K05 |
| Fabricant / Marque: | GeneSiC Semiconductor |
| Brève description: | DIODE GEN PURP 800V 16A DO4 |
| État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Condition: | New and unused, Original |
| Datasheet Télécharger: | FR16K05~MR05DO-4 (DO-203AA) Pkg Drawing |
| Application: | - |
| Poids: | - |
| Remplacement alternatif: | - |
Disponibilité en temps réel pour
FR16K05
En stock: 81500 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
- La description
- Paiement
- livraison
- Emballage
Paramètre du produit
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 1.1V @ 16A |
|---|---|
| Tension - inverse (Vr) (max) | 800V |
| Package composant fournisseur | DO-4 |
| La vitesse | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Séries | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | 500ns |
| Emballage | Bulk |
| Package / Boîte | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Autres noms | 1242-1214 FR16K05GN FR16K05GN-ND |
| Température d'utilisation - Jonction | -65°C ~ 150°C |
| Type de montage | Chassis, Stud Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 10 Weeks |
| Référence fabricant | FR16K05 |
| Description élargie | Diode Standard 800V 16A Chassis, Stud Mount DO-4 |
| Type de diode | Standard |
| La description | DIODE GEN PURP 800V 16A DO4 |
| Courant - fuite, inverse à Vr | 25µA @ 100V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io) | 16A |
| Capacité à Vr, F | - |
Autres
| Emballage normal | 5 |
|---|---|
| Autres noms | 1242-1214 FR16K05GN FR16K05GN-ND |
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EMS EXPRESS Délai de livraison: 7-10 jours. |
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Distributeur de GeneSiC Semiconductor
- Global Power Technologies Group, Inc. («GPTG»), créée en 2007, est une société intégrée de développement et de fabrication dédiée aux produits basés sur les technologies au carbure de silicium (SiC). Ces produits constitueront les fondements des industries de l'électronique de puissance et de l'énergie dans les années à venir, où des technologies de pointe sont nécessaires pour la production, la conversion et le transport d'énergie à faible coût et de haute efficacité.