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GA20SICP12-247

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GA20SICP12-247

EXSHINE Modèle de produit:EX-GA20SICP12-247
Fabricant Modèle de produit:GA20SICP12-247
Fabricant / Marque:GeneSiC Semiconductor
Brève description:TRANS SJT 1200V 45A TO247
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:GA20SICP12-247
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
GA20SICP12-247
En stock: 58900 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id -
La technologie SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Package composant fournisseur TO-247AB
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 20A
Dissipation de puissance (max) 282W (Tc)
Emballage Tube
Package / Boîte TO-247-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 18 Weeks
Référence fabricant GA20SICP12-247
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3091pF @ 800V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs -
type de FET -
Fonction FET -
Description élargie 1200V (1.2kV) 45A (Tc) 282W (Tc) Through Hole TO-247AB
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1.2kV)
La description TRANS SJT 1200V 45A TO247
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 45A (Tc)

Autres

Emballage normal 50

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Distributeur de GeneSiC Semiconductor

- Global Power Technologies Group, Inc. («GPTG»), créée en 2007, est une société intégrée de développement et de fabrication dédiée aux produits basés sur les technologies au carbure de silicium (SiC). Ces produits constitueront les fondements des industries de l'électronique de puissance et de l'énergie dans les années à venir, où des technologies de pointe sont nécessaires pour la production, la conversion et le transport d'énergie à faible coût et de haute efficacité.

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