GB01SLT12-220

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GB01SLT12-220

EXSHINE Modèle de produit:EX-GB01SLT12-220
Fabricant Modèle de produit:GB01SLT12-220
Fabricant / Marque:GeneSiC Semiconductor
Brève description:DIODE SCHOTTKY 1.2KV 1A TO220AC
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:GB01SLT12-220
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Paramètre du produit

Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.8V @ 1A
Tension - inverse (Vr) (max) 1200V (1.2kV)
Package composant fournisseur TO-220AC
La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)
Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 0ns
Emballage Tube
Package / Boîte TO-220-2
Autres noms 1242-1125
GB01SLT12220
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 175°C
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 18 Weeks
Référence fabricant GB01SLT12-220
Description élargie Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 1A Through Hole TO-220AC
Type de diode Silicon Carbide Schottky
La description DIODE SCHOTTKY 1.2KV 1A TO220AC
Courant - fuite, inverse à Vr 2µA @ 1200V
Courant - Rectifié moyenne (Io) 1A
Capacité à Vr, F 69pF @ 1V, 1MHz

Autres

Autres noms 1242-1125

GB01SLT12220
Emballage normal 50

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Distributeur de GeneSiC Semiconductor

- Global Power Technologies Group, Inc. («GPTG»), créée en 2007, est une société intégrée de développement et de fabrication dédiée aux produits basés sur les technologies au carbure de silicium (SiC). Ces produits constitueront les fondements des industries de l'électronique de puissance et de l'énergie dans les années à venir, où des technologies de pointe sont nécessaires pour la production, la conversion et le transport d'énergie à faible coût et de haute efficacité.

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