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GBPC5008T
| EXSHINE Modèle de produit: | EX-GBPC5008T |
|---|---|
| Fabricant Modèle de produit: | GBPC5008T |
| Fabricant / Marque: | GeneSiC Semiconductor |
| Brève description: | DIODE BRIDGE 800V 50A GBPC-T/W |
| État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Condition: | New and unused, Original |
| Datasheet Télécharger: | GBPC5006T/W ~ 5010T/WKBPC-(T,W)(-1);GBPC-T Pkg Dwg |
| Application: | - |
| Poids: | - |
| Remplacement alternatif: | - |
Disponibilité en temps réel pour
GBPC5008T
En stock: 95760 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
En stock: 95760 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
- La description
- Paiement
- livraison
- Emballage
Paramètre du produit
| Tension - Inverse de crête (max) | 800V |
|---|---|
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 1.2V @ 25A |
| La technologie | Standard |
| Package composant fournisseur | GBPC |
| Séries | - |
| Emballage | Bulk |
| Package / Boîte | 4-Square, GBPC |
| Autres noms | GBPC5008T/WGN GBPC5008T/WGN-ND GBPC5008TW |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | QC Terminal |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 4 Weeks |
| Référence fabricant | GBPC5008T |
| Description élargie | Bridge Rectifier Single Phase 800V 50A QC Terminal GBPC |
| Type de diode | Single Phase |
| La description | DIODE BRIDGE 800V 50A GBPC-T/W |
| Courant - fuite, inverse à Vr | 5µA @ 800V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io) | 50A |
Autres
| Emballage normal | 50 |
|---|---|
| Autres noms | GBPC5008T/WGN GBPC5008T/WGN-ND GBPC5008TW |
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EMS EXPRESS Délai de livraison: 7-10 jours. |
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Distributeur de GeneSiC Semiconductor
- Global Power Technologies Group, Inc. («GPTG»), créée en 2007, est une société intégrée de développement et de fabrication dédiée aux produits basés sur les technologies au carbure de silicium (SiC). Ces produits constitueront les fondements des industries de l'électronique de puissance et de l'énergie dans les années à venir, où des technologies de pointe sont nécessaires pour la production, la conversion et le transport d'énergie à faible coût et de haute efficacité.