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GBU4M

EXSHINE Modèle de produit:EX-GBU4M
Fabricant Modèle de produit:GBU4M
Fabricant / Marque:GeneSiC Semiconductor
Brève description:DIODE BRIDGE 1000V 4A GBU
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:GBU4J~4MKBJ($A),KBJ_GBJ(xA),GBPC-W,GBU Dwg
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
GBU4M
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Tension - Inverse de crête (max) 1000V
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.1V @ 4A
La technologie Standard
Package composant fournisseur GBU
Séries -
Emballage Bulk
Package / Boîte 4-SIP, GBU
Autres noms GBU4MGN
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 4 Weeks
Référence fabricant GBU4M
Description élargie Bridge Rectifier Single Phase 1000V 4A Through Hole GBU
Type de diode Single Phase
La description DIODE BRIDGE 1000V 4A GBU
Courant - fuite, inverse à Vr 5µA @ 1000V
Courant - Rectifié moyenne (Io) 4A

Autres

Emballage normal 500
Autres noms GBU4MGN

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Distributeur de GeneSiC Semiconductor

- Global Power Technologies Group, Inc. («GPTG»), créée en 2007, est une société intégrée de développement et de fabrication dédiée aux produits basés sur les technologies au carbure de silicium (SiC). Ces produits constitueront les fondements des industries de l'électronique de puissance et de l'énergie dans les années à venir, où des technologies de pointe sont nécessaires pour la production, la conversion et le transport d'énergie à faible coût et de haute efficacité.

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