GBU6J

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GBU6J

EXSHINE Modèle de produit:EX-GBU6J
Fabricant Modèle de produit:GBU6J
Fabricant / Marque:GeneSiC Semiconductor
Brève description:DIODE BRIDGE 600V 6A GBU
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:GBU6J~6MKBJ($A),KBJ_GBJ(xA),GBPC-W,GBU Dwg
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
GBU6J
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Tension - Inverse de crête (max) 600V
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.1V @ 6A
La technologie Standard
Package composant fournisseur GBU
Séries -
Emballage Bulk
Package / Boîte 4-SIP, GBU
Autres noms 1242-1276
GBU6JGN
GBU6JGN-ND
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 4 Weeks
Référence fabricant GBU6J
Description élargie Bridge Rectifier Single Phase 600V 6A Through Hole GBU
Type de diode Single Phase
La description DIODE BRIDGE 600V 6A GBU
Courant - fuite, inverse à Vr 5µA @ 600V
Courant - Rectifié moyenne (Io) 6A

Autres

Emballage normal 500
Autres noms 1242-1276

GBU6JGN

GBU6JGN-ND

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Distributeur de GeneSiC Semiconductor

- Global Power Technologies Group, Inc. («GPTG»), créée en 2007, est une société intégrée de développement et de fabrication dédiée aux produits basés sur les technologies au carbure de silicium (SiC). Ces produits constitueront les fondements des industries de l'électronique de puissance et de l'énergie dans les années à venir, où des technologies de pointe sont nécessaires pour la production, la conversion et le transport d'énergie à faible coût et de haute efficacité.

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