GBU8J

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GBU8J

EXSHINE Modèle de produit:EX-GBU8J
Fabricant Modèle de produit:GBU8J
Fabricant / Marque:GeneSiC Semiconductor
Brève description:DIODE BRIDGE 600V 8A GBU
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:GBU8J~8MKBJ($A),KBJ_GBJ(xA),GBPC-W,GBU Dwg
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
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GBU8J
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Tension - Inverse de crête (max) 600V
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.1V @ 8A
La technologie Standard
Package composant fournisseur GBU
Séries -
Emballage Bulk
Package / Boîte 4-SIP, GBU
Autres noms 1242-1280
GBU8JGN
GBU8JGN-ND
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 4 Weeks
Référence fabricant GBU8J
Description élargie Bridge Rectifier Single Phase 600V 8A Through Hole GBU
Type de diode Single Phase
La description DIODE BRIDGE 600V 8A GBU
Courant - fuite, inverse à Vr 5µA @ 600V
Courant - Rectifié moyenne (Io) 8A

Autres

Autres noms 1242-1280

GBU8JGN

GBU8JGN-ND
Emballage normal 500

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Distributeur de GeneSiC Semiconductor

- Global Power Technologies Group, Inc. («GPTG»), créée en 2007, est une société intégrée de développement et de fabrication dédiée aux produits basés sur les technologies au carbure de silicium (SiC). Ces produits constitueront les fondements des industries de l'électronique de puissance et de l'énergie dans les années à venir, où des technologies de pointe sont nécessaires pour la production, la conversion et le transport d'énergie à faible coût et de haute efficacité.

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