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KBJ25005G
| EXSHINE Modèle de produit: | EX-KBJ25005G |
|---|---|
| Fabricant Modèle de produit: | KBJ25005G |
| Fabricant / Marque: | GeneSiC Semiconductor |
| Brève description: | DIODE BRIDGE 50V 25A KBJ |
| État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Condition: | New and unused, Original |
| Datasheet Télécharger: | KBJ25005G~2504GKBJ($A),KBJ_GBJ(xA),GBPC-W,GBU Dwg |
| Application: | - |
| Poids: | - |
| Remplacement alternatif: | - |
Disponibilité en temps réel pour
KBJ25005G
En stock: 55460 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
En stock: 55460 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
- La description
- Paiement
- livraison
- Emballage
Paramètre du produit
| Tension - Inverse de crête (max) | 50V |
|---|---|
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 1.05V @ 12.5A |
| La technologie | Standard |
| Package composant fournisseur | KBJ |
| Séries | - |
| Emballage | Bulk |
| Package / Boîte | 4-SIP, KBJ |
| Autres noms | 1242-1227 KBJ25005GGN KBJ25005GGN-ND |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 4 Weeks |
| Référence fabricant | KBJ25005G |
| Description élargie | Bridge Rectifier Single Phase 50V 25A Through Hole KBJ |
| Type de diode | Single Phase |
| La description | DIODE BRIDGE 50V 25A KBJ |
| Courant - fuite, inverse à Vr | 10µA @ 50V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io) | 25A |
Autres
| Emballage normal | 300 |
|---|---|
| Autres noms | 1242-1227 KBJ25005GGN KBJ25005GGN-ND |
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EMS EXPRESS Délai de livraison: 7-10 jours. |
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Distributeur de GeneSiC Semiconductor
- Global Power Technologies Group, Inc. («GPTG»), créée en 2007, est une société intégrée de développement et de fabrication dédiée aux produits basés sur les technologies au carbure de silicium (SiC). Ces produits constitueront les fondements des industries de l'électronique de puissance et de l'énergie dans les années à venir, où des technologies de pointe sont nécessaires pour la production, la conversion et le transport d'énergie à faible coût et de haute efficacité.