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MBR20035CTR

EXSHINE Modèle de produit:EX-MBR20035CTR
Fabricant Modèle de produit:MBR20035CTR
Fabricant / Marque:GeneSiC Semiconductor
Brève description:DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:MBR20020CT thru MBR20040CTRTwin Tower Pkg Drawing
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
MBR20035CTR
En stock: 77770 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Tension - directe (Vf) (max) @ Si 650mV @ 100A
Tension - inverse (Vr) (max) 35V
Package composant fournisseur Twin Tower
La vitesse Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries -
Emballage Bulk
Package / Boîte Twin Tower
Autres noms MBR20035CTRGN
Type de montage Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 4 Weeks
Référence fabricant MBR20035CTR
Description élargie Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 35V 200A (DC) Chassis Mount Twin Tower
Type de diode Schottky
Configuration diode 1 Pair Common Anode
La description DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER
Courant - fuite, inverse à Vr 5mA @ 20V
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 200A (DC)

Autres

Emballage normal 25
Autres noms MBR20035CTRGN

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Distributeur de GeneSiC Semiconductor

- Global Power Technologies Group, Inc. («GPTG»), créée en 2007, est une société intégrée de développement et de fabrication dédiée aux produits basés sur les technologies au carbure de silicium (SiC). Ces produits constitueront les fondements des industries de l'électronique de puissance et de l'énergie dans les années à venir, où des technologies de pointe sont nécessaires pour la production, la conversion et le transport d'énergie à faible coût et de haute efficacité.

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