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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - tableaux > MBR2X050A200
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MBR2X050A200
| EXSHINE Modèle de produit: | EX-MBR2X050A200 |
|---|---|
| Fabricant Modèle de produit: | MBR2X050A200 |
| Fabricant / Marque: | GeneSiC Semiconductor |
| Brève description: | DIODE SCHOTTKY 200V 100A SOT227 |
| État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Condition: | New and unused, Original |
| Datasheet Télécharger: | MBR2X050A200 |
| Application: | - |
| Poids: | - |
| Remplacement alternatif: | - |
Disponibilité en temps réel pour
MBR2X050A200
En stock: 22400 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
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Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
- La description
- Paiement
- livraison
- Emballage
Paramètre du produit
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 920mV @ 50A |
|---|---|
| Tension - inverse (Vr) (max) | 200V |
| Package composant fournisseur | SOT-227 |
| La vitesse | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Séries | - |
| Emballage | Bulk |
| Package / Boîte | SOT-227-4, miniBLOC |
| Autres noms | 1242-1299 |
| Température d'utilisation - Jonction | -40°C ~ 150°C |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 4 Weeks |
| Référence fabricant | MBR2X050A200 |
| Description élargie | Diode Array 2 Independent Schottky 200V 100A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC |
| Type de diode | Schottky |
| Configuration diode | 2 Independent |
| La description | DIODE SCHOTTKY 200V 100A SOT227 |
| Courant - fuite, inverse à Vr | 3mA @ 200V |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) | 100A |
Autres
| Emballage normal | 10 |
|---|---|
| Autres noms | 1242-1299 |
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EMS EXPRESS Délai de livraison: 7-10 jours. |
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Distributeur de GeneSiC Semiconductor
- Global Power Technologies Group, Inc. («GPTG»), créée en 2007, est une société intégrée de développement et de fabrication dédiée aux produits basés sur les technologies au carbure de silicium (SiC). Ces produits constitueront les fondements des industries de l'électronique de puissance et de l'énergie dans les années à venir, où des technologies de pointe sont nécessaires pour la production, la conversion et le transport d'énergie à faible coût et de haute efficacité.