MBR30035CT

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MBR30035CT

EXSHINE Modèle de produit:EX-MBR30035CT
Fabricant Modèle de produit:MBR30035CT
Fabricant / Marque:GeneSiC Semiconductor
Brève description:DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:1
Datasheet Télécharger:MBR30020CT thru MBR30040CTRTwin Tower Pkg Drawing
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
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MBR30035CT
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
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Paramètre du produit

Tension - directe (Vf) (max) @ Si 650mV @ 150A
Tension - inverse (Vr) (max) 35V
Package composant fournisseur Twin Tower
La vitesse Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries -
Emballage Bulk
Package / Boîte Twin Tower
Autres noms 1242-1050
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C
Type de montage Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 4 Weeks
Référence fabricant MBR30035CT
Description élargie Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 35V 200A (DC) Chassis Mount Twin Tower
Type de diode Schottky
Configuration diode 1 Pair Common Cathode
La description DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER
Courant - fuite, inverse à Vr 8mA @ 20V
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 200A (DC)

Autres

Autres noms 1242-1050
Emballage normal 25

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Distributeur de GeneSiC Semiconductor

- Global Power Technologies Group, Inc. («GPTG»), créée en 2007, est une société intégrée de développement et de fabrication dédiée aux produits basés sur les technologies au carbure de silicium (SiC). Ces produits constitueront les fondements des industries de l'électronique de puissance et de l'énergie dans les années à venir, où des technologies de pointe sont nécessaires pour la production, la conversion et le transport d'énergie à faible coût et de haute efficacité.

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