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MBR3535R

EXSHINE Modèle de produit:EX-MBR3535R
Fabricant Modèle de produit:MBR3535R
Fabricant / Marque:GeneSiC Semiconductor
Brève description:DIODE SCHOTTKY REV 35V DO4
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:1
Datasheet Télécharger:MBR3520~3540RDO-4 (DO-203AA) Pkg Drawing
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
MBR3535R
En stock: 52780 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Tension - directe (Vf) (max) @ Si 680mV @ 35A
Tension - inverse (Vr) (max) 35V
Package composant fournisseur DO-4
La vitesse Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries -
Emballage Bulk
Package / Boîte DO-203AA, DO-4, Stud
Autres noms MBR3535RGN
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C
Type de montage Chassis, Stud Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks
Référence fabricant MBR3535R
Description élargie Diode Schottky, Reverse Polarity 35V 35A Chassis, Stud Mount DO-4
Type de diode Schottky, Reverse Polarity
La description DIODE SCHOTTKY REV 35V DO4
Courant - fuite, inverse à Vr 1.5mA @ 20V
Courant - Rectifié moyenne (Io) 35A
Capacité à Vr, F -

Autres

Autres noms MBR3535RGN
Emballage normal 100

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Distributeur de GeneSiC Semiconductor

- Global Power Technologies Group, Inc. («GPTG»), créée en 2007, est une société intégrée de développement et de fabrication dédiée aux produits basés sur les technologies au carbure de silicium (SiC). Ces produits constitueront les fondements des industries de l'électronique de puissance et de l'énergie dans les années à venir, où des technologies de pointe sont nécessaires pour la production, la conversion et le transport d'énergie à faible coût et de haute efficacité.

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