MBR60020CTRL

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MBR60020CTRL

EXSHINE Modèle de produit:EX-MBR60020CTRL
Fabricant Modèle de produit:MBR60020CTRL
Fabricant / Marque:GeneSiC Semiconductor
Brève description:DIODE SCHOTTKY 20V 300A 2 TOWER
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:1
Datasheet Télécharger:MBR60020CT(R)L
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
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MBR60020CTRL
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Paramètre du produit

Tension - directe (Vf) (max) @ Si 580mV @ 300A
Tension - inverse (Vr) (max) 20V
Package composant fournisseur Twin Tower
La vitesse Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries -
Emballage Bulk
Package / Boîte Twin Tower
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C
Type de montage Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant MBR60020CTRL
Description élargie Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 20V 300A Chassis Mount Twin Tower
Type de diode Schottky
Configuration diode 1 Pair Common Anode
La description DIODE SCHOTTKY 20V 300A 2 TOWER
Courant - fuite, inverse à Vr 3mA @ 20V
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 300A

Autres

Emballage normal 25

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Distributeur de GeneSiC Semiconductor

- Global Power Technologies Group, Inc. («GPTG»), créée en 2007, est une société intégrée de développement et de fabrication dédiée aux produits basés sur les technologies au carbure de silicium (SiC). Ces produits constitueront les fondements des industries de l'électronique de puissance et de l'énergie dans les années à venir, où des technologies de pointe sont nécessaires pour la production, la conversion et le transport d'énergie à faible coût et de haute efficacité.

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