MBRT12080R

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MBRT12080R

EXSHINE Modèle de produit:EX-MBRT12080R
Fabricant Modèle de produit:MBRT12080R
Fabricant / Marque:GeneSiC Semiconductor
Brève description:DIODE MODULE 80V 120A 3TOWER
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:1
Datasheet Télécharger:MBRT12045 ~ 120100RThree Tower Pkg Drawing
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
MBRT12080R
En stock: 34530 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Tension - directe (Vf) (max) @ Si 880mV @ 60A
Tension - inverse (Vr) (max) 80V
Package composant fournisseur Three Tower
La vitesse Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries -
Emballage Bulk
Package / Boîte Three Tower
Autres noms MBRT12080RGN
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C
Type de montage Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 4 Weeks
Référence fabricant MBRT12080R
Description élargie Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 80V 120A (DC) Chassis Mount Three Tower
Type de diode Schottky
Configuration diode 1 Pair Common Anode
La description DIODE MODULE 80V 120A 3TOWER
Courant - fuite, inverse à Vr 1mA @ 20V
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 120A (DC)

Autres

Autres noms MBRT12080RGN
Emballage normal 25

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Distributeur de GeneSiC Semiconductor

- Global Power Technologies Group, Inc. («GPTG»), créée en 2007, est une société intégrée de développement et de fabrication dédiée aux produits basés sur les technologies au carbure de silicium (SiC). Ces produits constitueront les fondements des industries de l'électronique de puissance et de l'énergie dans les années à venir, où des technologies de pointe sont nécessaires pour la production, la conversion et le transport d'énergie à faible coût et de haute efficacité.

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