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MBRT20040R
| EXSHINE Modèle de produit: | EX-MBRT20040R |
|---|---|
| Fabricant Modèle de produit: | MBRT20040R |
| Fabricant / Marque: | GeneSiC Semiconductor |
| Brève description: | DIODE MODULE 40V 200A 3TOWER |
| État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Condition: | New and unused, Original |
| Datasheet Télécharger: | MBRT20020 thru MBRT20040RThree Tower Pkg Drawing |
| Application: | - |
| Poids: | - |
| Remplacement alternatif: | - |
Disponibilité en temps réel pour
MBRT20040R
En stock: 60430 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
- La description
- Paiement
- livraison
- Emballage
Paramètre du produit
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 750mV @ 100A |
|---|---|
| Tension - inverse (Vr) (max) | 40V |
| Package composant fournisseur | Three Tower |
| La vitesse | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Séries | - |
| Emballage | Bulk |
| Package / Boîte | Three Tower |
| Autres noms | 1242-1082 |
| Température d'utilisation - Jonction | -55°C ~ 150°C |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 4 Weeks |
| Référence fabricant | MBRT20040R |
| Description élargie | Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky, Reverse Polarity 40V 200A (DC) Chassis Mount Three Tower |
| Type de diode | Schottky, Reverse Polarity |
| Configuration diode | 1 Pair Common Anode |
| La description | DIODE MODULE 40V 200A 3TOWER |
| Courant - fuite, inverse à Vr | 1mA @ 20V |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) | 200A (DC) |
Autres
| Emballage normal | 25 |
|---|---|
| Autres noms | 1242-1082 |
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Distributeur de GeneSiC Semiconductor
- Global Power Technologies Group, Inc. («GPTG»), créée en 2007, est une société intégrée de développement et de fabrication dédiée aux produits basés sur les technologies au carbure de silicium (SiC). Ces produits constitueront les fondements des industries de l'électronique de puissance et de l'énergie dans les années à venir, où des technologies de pointe sont nécessaires pour la production, la conversion et le transport d'énergie à faible coût et de haute efficacité.