EXSHINE Modèle de produit: | EX-MBRTA60030R |
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Fabricant Modèle de produit: | MBRTA60030R |
Fabricant / Marque: | GeneSiC Semiconductor |
Brève description: | DIODE SCHOTTKY 30V 300A 3TOWER |
État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Condition: | New and unused, Original |
Datasheet Télécharger: | MBRTA60020 thru MBRTA60040R |
Application: | - |
Poids: | - |
Remplacement alternatif: | - |
Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 700mV @ 300A |
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Tension - inverse (Vr) (max) | 30V |
Package composant fournisseur | Three Tower |
La vitesse | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Séries | - |
Emballage | Bulk |
Package / Boîte | Three Tower |
Température d'utilisation - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant | MBRTA60030R |
Description élargie | Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 30V 300A Chassis Mount Three Tower |
Type de diode | Schottky |
Configuration diode | 1 Pair Common Anode |
La description | DIODE SCHOTTKY 30V 300A 3TOWER |
Courant - fuite, inverse à Vr | 1mA @ 30V |
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) | 300A |
Emballage normal | 18 |
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- Global Power Technologies Group, Inc. («GPTG»), créée en 2007, est une société intégrée de développement et de fabrication dédiée aux produits basés sur les technologies au carbure de silicium (SiC). Ces produits constitueront les fondements des industries de l'électronique de puissance et de l'énergie dans les années à venir, où des technologies de pointe sont nécessaires pour la production, la conversion et le transport d'énergie à faible coût et de haute efficacité.