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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - tableaux > MBRTA800200
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MBRTA800200
| EXSHINE Modèle de produit: | EX-MBRTA800200 |
|---|---|
| Fabricant Modèle de produit: | MBRTA800200 |
| Fabricant / Marque: | GeneSiC Semiconductor |
| Brève description: | DIODE SCHOTTKY 200V 400A 3TOWER |
| État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Condition: | New and unused, Original |
| Datasheet Télécharger: | MBRTA800150 thru MBRTA800200R |
| Application: | - |
| Poids: | - |
| Remplacement alternatif: | - |
Disponibilité en temps réel pour
MBRTA800200
En stock: 40161 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
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Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
- La description
- Paiement
- livraison
- Emballage
Paramètre du produit
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 920mV @ 400A |
|---|---|
| Tension - inverse (Vr) (max) | 200V |
| Package composant fournisseur | Three Tower |
| La vitesse | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Séries | - |
| Emballage | Bulk |
| Package / Boîte | Three Tower |
| Température d'utilisation - Jonction | -55°C ~ 150°C |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant | MBRTA800200 |
| Description élargie | Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 200V 400A Chassis Mount Three Tower |
| Type de diode | Schottky |
| Configuration diode | 1 Pair Common Cathode |
| La description | DIODE SCHOTTKY 200V 400A 3TOWER |
| Courant - fuite, inverse à Vr | 5mA @ 200V |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) | 400A |
Autres
| Emballage normal | 18 |
|---|
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Distributeur de GeneSiC Semiconductor
- Global Power Technologies Group, Inc. («GPTG»), créée en 2007, est une société intégrée de développement et de fabrication dédiée aux produits basés sur les technologies au carbure de silicium (SiC). Ces produits constitueront les fondements des industries de l'électronique de puissance et de l'énergie dans les années à venir, où des technologies de pointe sont nécessaires pour la production, la conversion et le transport d'énergie à faible coût et de haute efficacité.