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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - tableaux > MSRT10080(A)D
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MSRT10080(A)D
| EXSHINE Modèle de produit: | EX-MSRT10080(A)D |
|---|---|
| Fabricant Modèle de produit: | MSRT10080(A)D |
| Fabricant / Marque: | GeneSiC Semiconductor |
| Brève description: | DIODE GEN PURP 800V 100A 3 TOWER |
| État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Condition: | New and unused, Original |
| Datasheet Télécharger: | MSRT10060(A)D thru MSRT100100(A)D |
| Application: | - |
| Poids: | - |
| Remplacement alternatif: | - |
Disponibilité en temps réel pour
MSRT10080(A)D
En stock: 95130 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
- La description
- Paiement
- livraison
- Emballage
Paramètre du produit
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 1.1V @ 100A |
|---|---|
| Tension - inverse (Vr) (max) | 800V |
| Package composant fournisseur | Three Tower |
| La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Séries | - |
| Emballage | Bulk |
| Package / Boîte | Three Tower |
| Température d'utilisation - Jonction | -55°C ~ 150°C |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 10 Weeks |
| Référence fabricant | MSRT10080(A)D |
| Description élargie | Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 800V 100A Chassis Mount Three Tower |
| Type de diode | Standard |
| Configuration diode | 1 Pair Series Connection |
| La description | DIODE GEN PURP 800V 100A 3 TOWER |
| Courant - fuite, inverse à Vr | 10µA @ 800V |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) | 100A |
Autres
| Emballage normal | 25 |
|---|
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EMS EXPRESS Délai de livraison: 7-10 jours. |
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Distributeur de GeneSiC Semiconductor
- Global Power Technologies Group, Inc. («GPTG»), créée en 2007, est une société intégrée de développement et de fabrication dédiée aux produits basés sur les technologies au carbure de silicium (SiC). Ces produits constitueront les fondements des industries de l'électronique de puissance et de l'énergie dans les années à venir, où des technologies de pointe sont nécessaires pour la production, la conversion et le transport d'énergie à faible coût et de haute efficacité.