MUR2X120A10

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MUR2X120A10

EXSHINE Modèle de produit:EX-MUR2X120A10
Fabricant Modèle de produit:MUR2X120A10
Fabricant / Marque:GeneSiC Semiconductor
Brève description:DIODE GEN PURP 1KV 120A SOT227
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:MUR2X120A10
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Paramètre du produit

Tension - directe (Vf) (max) @ Si 2.35V @ 120A
Tension - inverse (Vr) (max) 1000V (1kV)
Package composant fournisseur SOT-227
La vitesse Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Séries -
Emballage Bulk
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 175°C
Type de montage Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 4 Weeks
Référence fabricant MUR2X120A10
Description élargie Diode Array 2 Independent Standard 1000V (1kV) 120A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
Type de diode Standard
Configuration diode 2 Independent
La description DIODE GEN PURP 1KV 120A SOT227
Courant - fuite, inverse à Vr 25µA @ 1000V
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 120A

Autres

Emballage normal 10

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Distributeur de GeneSiC Semiconductor

- Global Power Technologies Group, Inc. («GPTG»), créée en 2007, est une société intégrée de développement et de fabrication dédiée aux produits basés sur les technologies au carbure de silicium (SiC). Ces produits constitueront les fondements des industries de l'électronique de puissance et de l'énergie dans les années à venir, où des technologies de pointe sont nécessaires pour la production, la conversion et le transport d'énergie à faible coût et de haute efficacité.

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