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MURF20060R
| EXSHINE Modèle de produit: | EX-MURF20060R |
|---|---|
| Fabricant Modèle de produit: | MURF20060R |
| Fabricant / Marque: | GeneSiC Semiconductor |
| Brève description: | DIODE MODULE 600V 200A TO244AB |
| État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Condition: | New and unused, Original |
| Datasheet Télécharger: | MURF20040 thru 20060RTO-244AB(Full Pak) Pkg Drawing |
| Application: | - |
| Poids: | - |
| Remplacement alternatif: | - |
Disponibilité en temps réel pour
MURF20060R
En stock: 22240 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
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Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
- La description
- Paiement
- livraison
- Emballage
Paramètre du produit
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 1.7V @ 100A |
|---|---|
| Tension - inverse (Vr) (max) | 600V |
| Package composant fournisseur | TO-244AB |
| La vitesse | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Séries | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | 75ns |
| Emballage | Bulk |
| Package / Boîte | TO-244AB |
| Autres noms | MURF20060RGN |
| Température d'utilisation - Jonction | -55°C ~ 150°C |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 4 Weeks |
| Référence fabricant | MURF20060R |
| Description élargie | Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 600V 200A (DC) Chassis Mount TO-244AB |
| Type de diode | Standard |
| Configuration diode | 1 Pair Common Anode |
| La description | DIODE MODULE 600V 200A TO244AB |
| Courant - fuite, inverse à Vr | 25µA @ 50V |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) | 200A (DC) |
Autres
| Emballage normal | 25 |
|---|---|
| Autres noms | MURF20060RGN |
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Distributeur de GeneSiC Semiconductor
- Global Power Technologies Group, Inc. («GPTG»), créée en 2007, est une société intégrée de développement et de fabrication dédiée aux produits basés sur les technologies au carbure de silicium (SiC). Ces produits constitueront les fondements des industries de l'électronique de puissance et de l'énergie dans les années à venir, où des technologies de pointe sont nécessaires pour la production, la conversion et le transport d'énergie à faible coût et de haute efficacité.