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MURT10040
| EXSHINE Modèle de produit: | EX-MURT10040 |
|---|---|
| Fabricant Modèle de produit: | MURT10040 |
| Fabricant / Marque: | GeneSiC Semiconductor |
| Brève description: | DIODE ARRAY GP 400V 100A 3TOWER |
| État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Condition: | 1 |
| Datasheet Télécharger: | MURT10040 thru 10060RThree Tower Pkg Drawing |
| Application: | - |
| Poids: | - |
| Remplacement alternatif: | - |
Disponibilité en temps réel pour
MURT10040
En stock: 11180 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
- La description
- Paiement
- livraison
- Emballage
Paramètre du produit
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 1.35V @ 50A |
|---|---|
| Tension - inverse (Vr) (max) | 400V |
| Package composant fournisseur | Three Tower |
| La vitesse | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Séries | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | 90ns |
| Emballage | Bulk |
| Package / Boîte | Three Tower |
| Autres noms | MURT10040GN |
| Température d'utilisation - Jonction | -40°C ~ 175°C |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 4 Weeks |
| Référence fabricant | MURT10040 |
| Description élargie | Diode Array Standard 400V 100A (DC) Chassis Mount Three Tower |
| Type de diode | Standard |
| Configuration diode | - |
| La description | DIODE ARRAY GP 400V 100A 3TOWER |
| Courant - fuite, inverse à Vr | 25µA @ 50V |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) | 100A (DC) |
Autres
| Autres noms | MURT10040GN |
|---|---|
| Emballage normal | 25 |
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EMS EXPRESS Délai de livraison: 7-10 jours. |
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Distributeur de GeneSiC Semiconductor
- Global Power Technologies Group, Inc. («GPTG»), créée en 2007, est une société intégrée de développement et de fabrication dédiée aux produits basés sur les technologies au carbure de silicium (SiC). Ces produits constitueront les fondements des industries de l'électronique de puissance et de l'énergie dans les années à venir, où des technologies de pointe sont nécessaires pour la production, la conversion et le transport d'énergie à faible coût et de haute efficacité.