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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - tableaux > MURTA20020R
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MURTA20020R
| EXSHINE Modèle de produit: | EX-MURTA20020R |
|---|---|
| Fabricant Modèle de produit: | MURTA20020R |
| Fabricant / Marque: | GeneSiC Semiconductor |
| Brève description: | DIODE GEN PURP 200V 100A 3 TOWER |
| État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Condition: | New and unused, Original |
| Datasheet Télécharger: | MURTA20020 thru MURTA20040R |
| Application: | - |
| Poids: | - |
| Remplacement alternatif: | - |
Disponibilité en temps réel pour
MURTA20020R
En stock: 20140 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
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Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
- La description
- Paiement
- livraison
- Emballage
Paramètre du produit
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 1.3V @ 100A |
|---|---|
| Tension - inverse (Vr) (max) | 200V |
| Package composant fournisseur | Three Tower |
| La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Séries | - |
| Emballage | Bulk |
| Package / Boîte | Three Tower |
| Température d'utilisation - Jonction | -55°C ~ 150°C |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 4 Weeks |
| Référence fabricant | MURTA20020R |
| Description élargie | Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 200V 100A Chassis Mount Three Tower |
| Type de diode | Standard |
| Configuration diode | 1 Pair Common Anode |
| La description | DIODE GEN PURP 200V 100A 3 TOWER |
| Courant - fuite, inverse à Vr | 25µA @ 200V |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) | 100A |
Autres
| Emballage normal | 18 |
|---|
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EMS EXPRESS Délai de livraison: 7-10 jours. |
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Distributeur de GeneSiC Semiconductor
- Global Power Technologies Group, Inc. («GPTG»), créée en 2007, est une société intégrée de développement et de fabrication dédiée aux produits basés sur les technologies au carbure de silicium (SiC). Ces produits constitueront les fondements des industries de l'électronique de puissance et de l'énergie dans les années à venir, où des technologies de pointe sont nécessaires pour la production, la conversion et le transport d'énergie à faible coût et de haute efficacité.