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S16M
| EXSHINE Modèle de produit: | EX-S16M |
|---|---|
| Fabricant Modèle de produit: | S16M |
| Fabricant / Marque: | GeneSiC Semiconductor |
| Brève description: | DIODE GEN PURP 1KV 16A DO203AA |
| État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Condition: | New and unused, Original |
| Datasheet Télécharger: | S16K~S16QRDO-4 (DO-203AA) Pkg Drawing |
| Application: | - |
| Poids: | - |
| Remplacement alternatif: | - |
Disponibilité en temps réel pour
S16M
En stock: 62930 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
- La description
- Paiement
- livraison
- Emballage
Paramètre du produit
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 1.1V @ 16A |
|---|---|
| Tension - inverse (Vr) (max) | 1000V (1kV) |
| Package composant fournisseur | - |
| La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Séries | - |
| Emballage | Bulk |
| Package / Boîte | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Autres noms | S16MGN |
| Température d'utilisation - Jonction | -65°C ~ 175°C |
| Type de montage | Chassis, Stud Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 10 Weeks |
| Référence fabricant | S16M |
| Description élargie | Diode Standard 1000V (1kV) 16A Chassis, Stud Mount |
| Type de diode | Standard |
| La description | DIODE GEN PURP 1KV 16A DO203AA |
| Courant - fuite, inverse à Vr | 10µA @ 50V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io) | 16A |
| Capacité à Vr, F | - |
Autres
| Emballage normal | 5 |
|---|---|
| Autres noms | S16MGN |
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Distributeur de GeneSiC Semiconductor
- Global Power Technologies Group, Inc. («GPTG»), créée en 2007, est une société intégrée de développement et de fabrication dédiée aux produits basés sur les technologies au carbure de silicium (SiC). Ces produits constitueront les fondements des industries de l'électronique de puissance et de l'énergie dans les années à venir, où des technologies de pointe sont nécessaires pour la production, la conversion et le transport d'énergie à faible coût et de haute efficacité.