DF11GZ-8DP-2V(20)

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DF11GZ-8DP-2V(20)

EXSHINE Modèle de produit:EX-DF11GZ-8DP-2V(20)
Fabricant Modèle de produit:DF11GZ-8DP-2V(20)
Fabricant / Marque:Hirose
Brève description:CONN HEADER 8POS 2MM SMD TIN
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:1
Datasheet Télécharger:DF11 Series DatasheetDF11GZ-xDP-2V(20) DrawingDF11GZ-xDP-2V(20) Spec
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DF11GZ-8DP-2V(20)
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Paramètre du produit

tension 250V
La résiliation Solder
style Board to Board or Cable
Ensevelissement Shrouded - 4 Wall
Séries DF11
Espacement des rangées - Accouplement 0.079" (2.00mm)
Emplacement - accouplement 0.079" (2.00mm)
Emballage Tube
Longueur totale des contacts -
Autres noms *DF11GZ-8DP-2V(20)
DF11GZ8DP2V20
H10261
Température de fonctionnement -30°C ~ 85°C
Nombre de rangées 2
Nombre de positions chargées All
Nombre de positions 8
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Inflammabilité du matériau UL94 V-0
Accouplé Stacking Heights 8.2mm, 8.45mm, 9.55mm
Délai de livraison standard du fabricant 8 Weeks
Référence fabricant DF11GZ-8DP-2V(20)
Matériau isolant Polyamide (PA), Nylon
Hauteur d'isolation 0.284" (7.20mm)
Couleur d'isolation Beige
Protection contre la pénétration -
Caractéristiques Board Guide, Solder Retention
Type de fixation Detent Lock
Description élargie 8 Positions Header Connector 0.079" (2.00mm) Surface Mount Tin
La description CONN HEADER 8POS 2MM SMD TIN
Note actuelle 2A
type de contact Male Pin
Forme de contact Circular
Matériau du contact Brass
Longueur de contact - Poste -
Longueur de contact - accouplement -
Épaisseur de finition de contact - Poste -
Epaisseur de finition de contact - accouplement 39µin (1.00µm)
Fin de contact - Poste Tin
Finition de contact - accouplement Tin
Type de connecteur Header
Applications -

Autres

Emballage normal 30
Autres noms *DF11GZ-8DP-2V(20)

DF11GZ8DP2V20

H10261

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Distributeur de Hirose Electric Co Ltd

- Hittite Microwave Corporation a été acquise par Analog Devices en 2014. Hittite était un fabricant de circuits intégrés, de modules, de sous-systèmes et d'instruments haute performance pour les applications RF, hyperfréquences et à ondes millimétriques.
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