23S05T-1DCG

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23S05T-1DCG

EXSHINE Modèle de produit:EX-23S05T-1DCG
Fabricant Modèle de produit:23S05T-1DCG
Fabricant / Marque:IDT (Integrated Device Technology)
Brève description:IC CLK BUFF ZD SPREADSPECT 8SOIC
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:IDT23S05TIDT Suffixes
Application:-
Poids:-
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Paramètre du produit

Tension - Alimentation 2.3 V ~ 2.7 V
Type Zero Delay Buffer
Package composant fournisseur 8-SOIC
Séries -
Rapport - Entrée: Sortie 1:5
Emballage Tube
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
PLL Yes with Bypass
Sortie CMOS, LVTTL
Autres noms 800-1311
800-1311-5
800-1311-ND
IDT23S05T-1DCG
IDT23S05T1DCG
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C
Nombre de circuits 1
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 7 Weeks
Référence fabricant 23S05T-1DCG
Contribution LVTTL
Fréquence - Max 133MHz
Diviseur / Multiplicateur No/No
Différentiel - Entrée: Sortie No/No
La description IC CLK BUFF ZD SPREADSPECT 8SOIC

Autres

Emballage normal 97
Autres noms 800-1311

800-1311-5

800-1311-ND

IDT23S05T-1DCG

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Distributeur de IDT, Integrated Device Technology Inc

- Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI), est un leader technologique qui conçoit, développe et commercialise des circuits intégrés hautes performances pour les marchés clés suivants: (i) automobile, (ii) communications, (iii) consommateur numérique et ( iv) industriel et médical. Leurs produits principaux sont les mémoires SRAM à haute vitesse et à faible consommation d'énergie ainsi que les mémoires DRAM à faible et moyenne densité. La société conçoit et commercialise également des produits flash NOR et des circuits intégrés hautes performances à signaux analogiques et mixtes. Ils ciblent des marchés à forte croissance avec nos produits semi-conducteurs économiques et de haute qualité et cherchent à établir des relations à long terme avec nos clients. Ils ont été un fournisseur engagé à long terme de produits de mémoire, y compris de produits à faible densité et à faible volume, même pendant des périodes de capacité de production réduite.

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