54FCT574TDB

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54FCT574TDB

EXSHINE Modèle de produit:EX-54FCT574TDB
Fabricant Modèle de produit:54FCT574TDB
Fabricant / Marque:IDT (Integrated Device Technology)
Brève description:IC FF D-TYP SNGL 8BIT 20CERDIP
État sans plomb / État RoHS:Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Condition:1
Datasheet Télécharger:IDT(54,74)FCT574T/AT/CT
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
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54FCT574TDB
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Paramètre du produit

Tension - Alimentation 4.5 V ~ 5.5 V
Type D-Type
type de déclenchement Positive Edge
Séries -
Emballage Tube
Package / Boîte 20-CDIP (0.300", 7.62mm)
Le type de sortie Tri-State
Autres noms IDT54FCT574TDB
IDT54FCT574TDB-ND
Température de fonctionnement -55°C ~ 125°C (TA)
Le nombre d'éléments 1
Nombre de bits par élément 8
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Max Délai de propagation @ V, Max CL 11ns @ 5V, 50pF
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks
Référence fabricant 54FCT574TDB
Capacité d'entrée 10pF
Fonction Standard
La description IC FF D-TYP SNGL 8BIT 20CERDIP
Courant - Repos 1mA
Courant - Sortie Haut, Bas 15mA, 48mA

Autres

Emballage normal 20
Autres noms IDT54FCT574TDB

IDT54FCT574TDB-ND

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Distributeur de IDT, Integrated Device Technology Inc

- Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI), est un leader technologique qui conçoit, développe et commercialise des circuits intégrés hautes performances pour les marchés clés suivants: (i) automobile, (ii) communications, (iii) consommateur numérique et ( iv) industriel et médical. Leurs produits principaux sont les mémoires SRAM à haute vitesse et à faible consommation d'énergie ainsi que les mémoires DRAM à faible et moyenne densité. La société conçoit et commercialise également des produits flash NOR et des circuits intégrés hautes performances à signaux analogiques et mixtes. Ils ciblent des marchés à forte croissance avec nos produits semi-conducteurs économiques et de haute qualité et cherchent à établir des relations à long terme avec nos clients. Ils ont été un fournisseur engagé à long terme de produits de mémoire, y compris de produits à faible densité et à faible volume, même pendant des périodes de capacité de production réduite.

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