5T90533PGGI

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5T90533PGGI

EXSHINE Modèle de produit:EX-5T90533PGGI
Fabricant Modèle de produit:5T90533PGGI
Fabricant / Marque:IDT (Integrated Device Technology)
Brève description:IC CLK BUFFER 1:5 250MHZ 28TSSOP
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:IDT5T90533PGxx
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Paramètre du produit

Tension - Alimentation 2.4 V ~ 2.6 V
Type Fanout Buffer (Distribution)
Package composant fournisseur 28-TSSOP
Séries TeraBuffer™
Rapport - Entrée: Sortie 1:5
Emballage Tube
Package / Boîte 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Sortie eHSTL, HSTL, LVTTL
Autres noms IDT5T90533PGGI
IDT5T90533PGGI-ND
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C
Nombre de circuits 1
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant 5T90533PGGI
Contribution eHSTL, HSTL, LVPECL, LVTTL
Fréquence - Max 250MHz
Description élargie Clock Fanout Buffer (Distribution) IC 250MHz 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Différentiel - Entrée: Sortie Yes/No
La description IC CLK BUFFER 1:5 250MHZ 28TSSOP

Autres

Autres noms IDT5T90533PGGI

IDT5T90533PGGI-ND
Emballage normal 50

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Distributeur de IDT, Integrated Device Technology Inc

- Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI), est un leader technologique qui conçoit, développe et commercialise des circuits intégrés hautes performances pour les marchés clés suivants: (i) automobile, (ii) communications, (iii) consommateur numérique et ( iv) industriel et médical. Leurs produits principaux sont les mémoires SRAM à haute vitesse et à faible consommation d'énergie ainsi que les mémoires DRAM à faible et moyenne densité. La société conçoit et commercialise également des produits flash NOR et des circuits intégrés hautes performances à signaux analogiques et mixtes. Ils ciblent des marchés à forte croissance avec nos produits semi-conducteurs économiques et de haute qualité et cherchent à établir des relations à long terme avec nos clients. Ils ont été un fournisseur engagé à long terme de produits de mémoire, y compris de produits à faible densité et à faible volume, même pendant des périodes de capacité de production réduite.

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