7201LA20DB

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7201LA20DB

EXSHINE Modèle de produit:EX-7201LA20DB
Fabricant Modèle de produit:7201LA20DB
Fabricant / Marque:IDT (Integrated Device Technology)
Brève description:IC MEM FIFO 512X9 ASYNC 28CDIP
État sans plomb / État RoHS:Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:IDT7200L/7201-02LAIDT Suffixes
Application:-
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7201LA20DB
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Paramètre du produit

Tension - Alimentation 4.5 V ~ 5.5 V
Package composant fournisseur 28-CerDip
Séries 7200
capacité Retransmission Yes
Drapeaux programmables Soutien No
Emballage Tube
Package / Boîte 28-CDIP (0.600", 15.24mm)
Autres noms IDT7201LA20DB
IDT7201LA20DB-ND
Température de fonctionnement -55°C ~ 125°C
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Taille mémoire 4.5K (512 x 9)
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks
Référence fabricant 7201LA20DB
Fonction Asynchronous
Soutien FWFT No
Type d'extension Depth, Width
La description IC MEM FIFO 512X9 ASYNC 28CDIP
Débit de données 33.3MHz
Courant - Alimentation (Max) 100mA
Bus directionnel Uni-Directional
Temps d'accès 20ns

Autres

Emballage normal 13
Autres noms IDT7201LA20DB

IDT7201LA20DB-ND

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Distributeur de IDT, Integrated Device Technology Inc

- Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI), est un leader technologique qui conçoit, développe et commercialise des circuits intégrés hautes performances pour les marchés clés suivants: (i) automobile, (ii) communications, (iii) consommateur numérique et ( iv) industriel et médical. Leurs produits principaux sont les mémoires SRAM à haute vitesse et à faible consommation d'énergie ainsi que les mémoires DRAM à faible et moyenne densité. La société conçoit et commercialise également des produits flash NOR et des circuits intégrés hautes performances à signaux analogiques et mixtes. Ils ciblent des marchés à forte croissance avec nos produits semi-conducteurs économiques et de haute qualité et cherchent à établir des relations à long terme avec nos clients. Ils ont été un fournisseur engagé à long terme de produits de mémoire, y compris de produits à faible densité et à faible volume, même pendant des périodes de capacité de production réduite.

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