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82P20516DBFG

EXSHINE Modèle de produit:EX-82P20516DBFG
Fabricant Modèle de produit:82P20516DBFG
Fabricant / Marque:IDT (Integrated Device Technology)
Brève description:IC LIU T1/E1/J1 16CH SH 484BGA
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:IDT82P20516
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82P20516DBFG
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Paramètre du produit

Tension - Alimentation 1.8V, 3.3V
Package composant fournisseur 484-CABGA (19x19)
Séries -
Puissance (Watts) 2.89W
Emballage Tray
Package / Boîte 484-LFBGA
Autres noms IDT82P20516DBFG
IDT82P20516DBFG-ND
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C
Nombre de circuits 16
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 Hours)
Délai de livraison standard du fabricant 17 Weeks
Référence fabricant 82P20516DBFG
Interface E1, J1, T1
Comprend AIS Alarms Detector and Generator, Loopback Functions, PRBS Generator / Detector, Remote Detector and Generator
Fonction Line Interface Unit (LIU)
Description élargie Telecom IC Line Interface Unit (LIU) 484-CABGA (19x19)
La description IC LIU T1/E1/J1 16CH SH 484BGA
Offre actuelle -

Autres

Autres noms IDT82P20516DBFG

IDT82P20516DBFG-ND
Emballage normal 84

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Distributeur de IDT, Integrated Device Technology Inc

- Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI), est un leader technologique qui conçoit, développe et commercialise des circuits intégrés hautes performances pour les marchés clés suivants: (i) automobile, (ii) communications, (iii) consommateur numérique et ( iv) industriel et médical. Leurs produits principaux sont les mémoires SRAM à haute vitesse et à faible consommation d'énergie ainsi que les mémoires DRAM à faible et moyenne densité. La société conçoit et commercialise également des produits flash NOR et des circuits intégrés hautes performances à signaux analogiques et mixtes. Ils ciblent des marchés à forte croissance avec nos produits semi-conducteurs économiques et de haute qualité et cherchent à établir des relations à long terme avec nos clients. Ils ont été un fournisseur engagé à long terme de produits de mémoire, y compris de produits à faible densité et à faible volume, même pendant des périodes de capacité de production réduite.

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