EXSHINE Modèle de produit: | EX-F2923NCGI |
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Fabricant Modèle de produit: | F2923NCGI |
Fabricant / Marque: | IDT (Integrated Device Technology) |
Brève description: | IC SW SP2T 300-8000MHZ 20TQFN |
État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Condition: | New and unused, Original |
Datasheet Télécharger: | F2923NCGI |
Application: | - |
Poids: | - |
Remplacement alternatif: | - |
Tension - Alimentation | 3.3V |
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topologie | Absorptive |
Package composant fournisseur | 20-TQFN (4x4) |
Séries | - |
type de RF | LTE, WiMax |
Emballage | Tray |
Package / Boîte | 20-WFQFN Exposed Pad |
P1dB | - |
Autres noms | 800-3575 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 105°C |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 10 Weeks |
Référence fabricant | F2923NCGI |
Isolation @ Fréquence | 40dB @ 6GHz (typ) |
Perte d'insertion @ Fréquence | 1.2dB @ 8GHz |
Impédance | 50 Ohm |
IIP3 | 52dBm (typ) |
Fréquence - Haut | 8GHz |
Fréquence - Bas | 300kHz |
Caractéristiques | - |
Description élargie | RF Switch IC LTE, WiMax SP2T 50 Ohm 20-TQFN (4x4) |
La description | IC SW SP2T 300-8000MHZ 20TQFN |
Circuit | SP2T |
Emballage normal | 490 |
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Autres noms | 800-3575 |
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- Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI), est un leader technologique qui conçoit, développe et commercialise des circuits intégrés hautes performances pour les marchés clés suivants: (i) automobile, (ii) communications, (iii) consommateur numérique et ( iv) industriel et médical. Leurs produits principaux sont les mémoires SRAM à haute vitesse et à faible consommation d'énergie ainsi que les mémoires DRAM à faible et moyenne densité. La société conçoit et commercialise également des produits flash NOR et des circuits intégrés hautes performances à signaux analogiques et mixtes. Ils ciblent des marchés à forte croissance avec nos produits semi-conducteurs économiques et de haute qualité et cherchent à établir des relations à long terme avec nos clients. Ils ont été un fournisseur engagé à long terme de produits de mémoire, y compris de produits à faible densité et à faible volume, même pendant des périodes de capacité de production réduite.