EXSHINE Modèle de produit: | EX-ICS853017AM |
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Fabricant Modèle de produit: | ICS853017AM |
Fabricant / Marque: | IDT (Integrated Device Technology) |
Brève description: | IC CLK BUFFER 1:1 2GHZ 20SOIC |
État sans plomb / État RoHS: | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
Condition: | New and unused, Original |
Datasheet Télécharger: | ICS853017 |
Application: | - |
Poids: | - |
Remplacement alternatif: | - |
Tension - Alimentation | 2.375 V ~ 5.25 V |
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Type | Buffer/Driver |
Package composant fournisseur | 20-SOIC |
Séries | - |
Rapport - Entrée: Sortie | 1:1 |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Sortie | LVPECL |
Autres noms | 800-1161 800-1161-5 800-1161-ND 853017AM |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Nombre de circuits | 4 |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant | ICS853017AM |
Contribution | CML, LVDS, LVPECL, SSTL |
Fréquence - Max | 2GHz |
Description élargie | Clock Buffer/Driver IC 2GHz 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Différentiel - Entrée: Sortie | Yes/Yes |
La description | IC CLK BUFFER 1:1 2GHZ 20SOIC |
Autres noms | 800-1161 800-1161-5 800-1161-ND 853017AM |
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Emballage normal | 37 |
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- Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI), est un leader technologique qui conçoit, développe et commercialise des circuits intégrés hautes performances pour les marchés clés suivants: (i) automobile, (ii) communications, (iii) consommateur numérique et ( iv) industriel et médical. Leurs produits principaux sont les mémoires SRAM à haute vitesse et à faible consommation d'énergie ainsi que les mémoires DRAM à faible et moyenne densité. La société conçoit et commercialise également des produits flash NOR et des circuits intégrés hautes performances à signaux analogiques et mixtes. Ils ciblent des marchés à forte croissance avec nos produits semi-conducteurs économiques et de haute qualité et cherchent à établir des relations à long terme avec nos clients. Ils ont été un fournisseur engagé à long terme de produits de mémoire, y compris de produits à faible densité et à faible volume, même pendant des périodes de capacité de production réduite.