IDT71V016SA20YI

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EXSHINE Modèle de produit:	EX-IDT71V016SA20YI
Fabricant Modèle de produit:	IDT71V016SA20YI
Fabricant / Marque:	IDT (Integrated Device Technology)
Brève description:	IC SRAM 1MBIT 20NS 44SOJ
État sans plomb / État RoHS:	Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Condition:	New and unused, Original
Datasheet Télécharger:	IDT71V016SA/HSA
Application:	-
Poids:	-
Remplacement alternatif:	-

Disponibilité en temps réel pour

IDT71V016SA20YI
En stock: 72634 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

La description
Paiement
livraison
Emballage

Paramètre du produit

Tension - Alimentation	3 V ~ 3.6 V
Package composant fournisseur	44-SOJ
La vitesse	20ns
Séries	-
Emballage	Tube
Package / Boîte	44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Autres noms	71V016SA20YI
Température de fonctionnement	-40°C ~ 85°C (TA)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	3 (168 Hours)
Type de mémoire	Volatile
Taille mémoire	1Mb (64K x 16)
Format de mémoire	SRAM
Référence fabricant	IDT71V016SA20YI
Interface	Parallel
La description	IC SRAM 1MBIT 20NS 44SOJ

Autres

Emballage normal	16
Autres noms	71V016SA20YI

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Distributeur de IDT, Integrated Device Technology Inc

- Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI), est un leader technologique qui conçoit, développe et commercialise des circuits intégrés hautes performances pour les marchés clés suivants: (i) automobile, (ii) communications, (iii) consommateur numérique et ( iv) industriel et médical. Leurs produits principaux sont les mémoires SRAM à haute vitesse et à faible consommation d'énergie ainsi que les mémoires DRAM à faible et moyenne densité. La société conçoit et commercialise également des produits flash NOR et des circuits intégrés hautes performances à signaux analogiques et mixtes. Ils ciblent des marchés à forte croissance avec nos produits semi-conducteurs économiques et de haute qualité et cherchent à établir des relations à long terme avec nos clients. Ils ont été un fournisseur engagé à long terme de produits de mémoire, y compris de produits à faible densité et à faible volume, même pendant des périodes de capacité de production réduite.

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