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QS3VH16245PAG

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QS3VH16245PAG

EXSHINE Modèle de produit:EX-QS3VH16245PAG
Fabricant Modèle de produit:QS3VH16245PAG
Fabricant / Marque:IDT (Integrated Device Technology)
Brève description:IC BUS SWITCH 16BIT HI 48-TSSOP
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:IDTQS3VH16245IDT Suffixes
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
QS3VH16245PAG
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Paramètre du produit

Tension d'alimentation Source Single Supply
Tension - Alimentation 2.3 V ~ 3.6 V
Type Bus Switch
Package composant fournisseur 48-TSSOP
Séries 3VH
Emballage Tube
Package / Boîte 48-TFSOP (0.240", 6.10mm Width)
Autres noms IDTQS3VH16245PAG
IDTQS3VH16245PAG-ND
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 7 Weeks
Référence fabricant QS3VH16245PAG
Circuits indépendants 2
Description élargie Bus Switch 8 x 1:1 48-TSSOP
La description IC BUS SWITCH 16BIT HI 48-TSSOP
Courant - Sortie Haut, Bas -
Circuit 8 x 1:1

Autres

Autres noms IDTQS3VH16245PAG

IDTQS3VH16245PAG-ND
Emballage normal 39

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Distributeur de IDT, Integrated Device Technology Inc

- Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI), est un leader technologique qui conçoit, développe et commercialise des circuits intégrés hautes performances pour les marchés clés suivants: (i) automobile, (ii) communications, (iii) consommateur numérique et ( iv) industriel et médical. Leurs produits principaux sont les mémoires SRAM à haute vitesse et à faible consommation d'énergie ainsi que les mémoires DRAM à faible et moyenne densité. La société conçoit et commercialise également des produits flash NOR et des circuits intégrés hautes performances à signaux analogiques et mixtes. Ils ciblent des marchés à forte croissance avec nos produits semi-conducteurs économiques et de haute qualité et cherchent à établir des relations à long terme avec nos clients. Ils ont été un fournisseur engagé à long terme de produits de mémoire, y compris de produits à faible densité et à faible volume, même pendant des périodes de capacité de production réduite.

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