SSTV16859CGLFT

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EXSHINE Modèle de produit:	EX-SSTV16859CGLFT
Fabricant Modèle de produit:	SSTV16859CGLFT
Fabricant / Marque:	IDT (Integrated Device Technology)
Brève description:	IC BUS DVR UNIV 13-26BIT 64TSSOP
État sans plomb / État RoHS:	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:	New and unused, Original
Datasheet Télécharger:	ICSSSTV16859C
Application:	-
Poids:	-
Remplacement alternatif:	-

Disponibilité en temps réel pour

SSTV16859CGLFT
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

La description
Paiement
livraison
Emballage

Paramètre du produit

tension d'alimentation	2.3 V ~ 2.7 V
Package composant fournisseur	64-TSSOP
Séries	74SSTV
Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	64-TFSOP (0.240", 6.10mm Width)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 85°C
Nombre de bits	13, 26
Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Référence fabricant	SSTV16859CGLFT
Type de logique	Registered Buffer with SSTL_2 Compatible I/O for DDR
Description élargie	Registered Buffer with SSTL_2 Compatible I/O for DDR IC 64-TSSOP
La description	IC BUS DVR UNIV 13-26BIT 64TSSOP

Autres

Emballage normal	1,000

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Distributeur de IDT, Integrated Device Technology Inc

- Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI), est un leader technologique qui conçoit, développe et commercialise des circuits intégrés hautes performances pour les marchés clés suivants: (i) automobile, (ii) communications, (iii) consommateur numérique et ( iv) industriel et médical. Leurs produits principaux sont les mémoires SRAM à haute vitesse et à faible consommation d'énergie ainsi que les mémoires DRAM à faible et moyenne densité. La société conçoit et commercialise également des produits flash NOR et des circuits intégrés hautes performances à signaux analogiques et mixtes. Ils ciblent des marchés à forte croissance avec nos produits semi-conducteurs économiques et de haute qualité et cherchent à établir des relations à long terme avec nos clients. Ils ont été un fournisseur engagé à long terme de produits de mémoire, y compris de produits à faible densité et à faible volume, même pendant des périodes de capacité de production réduite.

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