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IX4R11P7

EXSHINE Modèle de produit:EX-IX4R11P7
Fabricant Modèle de produit:IX4R11P7
Fabricant / Marque:IXYS Corporation
Brève description:IC DRVR HALF BRIDGE 4A 14DIP
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:IX4R11
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
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IX4R11P7
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
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Paramètre du produit

Tension - Alimentation 10 V ~ 35 V
Package composant fournisseur 14-DIP
Séries -
Rise / Fall Time (Typ) 23ns, 22ns
Emballage Tube
Package / Boîte 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Nombre de conducteurs 2
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant IX4R11P7
Tension logique - VIL, VIH 6V, 7V
Type d'entrée Non-Inverting
Côté haut potentiel - Max (Bootstrap) 650V
Type de porte IGBT, N-Channel MOSFET
Description élargie Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
Configuration pilotée Half-Bridge
La description IC DRVR HALF BRIDGE 4A 14DIP
Current - Peak Output (Source, Évier) 4A, 4A
courant de charge Independent

Autres

Emballage normal 225

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Distributeur de IXYS

- La division Circuits intégrés IXYS, anciennement Clare, Inc., une société IXYS, conçoit, fabrique et commercialise des circuits intégrés à haute tension et des relais à semi-conducteurs optiquement isolés (OptoMOS®) destinés aux secteurs de la communication, de l'industrie, de l'alimentation et de la consommation marchés.
Pionniers dans le développement des relais à semi-conducteurs (SSR), ils sont devenus un fournisseur de premier plan dans les secteurs des télécommunications, de la sécurité, de la mesure des services publics et du contrôle industriel. Les solutions SSYS de la division de circuits intégrés IXYS remplacent rapidement les appareils électromécaniques plus anciens dans de nombreuses applications et améliorent les performances globales du système. Ils continuent à développer des produits leaders offrant des niveaux d'intégration et de performances électriques plus élevés.

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