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IXDN430MYI

EXSHINE Modèle de produit:EX-IXDN430MYI
Fabricant Modèle de produit:IXDN430MYI
Fabricant / Marque:IXYS Corporation
Brève description:IC MOSFET/IGBT DRIVER TO-263
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:IXD(D,I,N,S)430CI
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
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IXDN430MYI
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
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Paramètre du produit

Tension - Alimentation 8.5 V ~ 35 V
Package composant fournisseur TO-263 (D²Pak)
Séries -
Rise / Fall Time (Typ) 18ns, 16ns
Emballage Bulk
Package / Boîte TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
Autres noms Q1952551
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Nombre de conducteurs 1
Type de montage Surface Mount
Référence fabricant IXDN430MYI
Tension logique - VIL, VIH 0.8V, 3.5V
Type d'entrée Non-Inverting
Type de porte IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Description élargie Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting TO-263 (D²Pak)
Configuration pilotée Low-Side
La description IC MOSFET/IGBT DRIVER TO-263
Current - Peak Output (Source, Évier) 30A, 30A
courant de charge Single

Autres

Autres noms Q1952551
Emballage normal 50

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Distributeur de IXYS

- La division Circuits intégrés IXYS, anciennement Clare, Inc., une société IXYS, conçoit, fabrique et commercialise des circuits intégrés à haute tension et des relais à semi-conducteurs optiquement isolés (OptoMOS®) destinés aux secteurs de la communication, de l'industrie, de l'alimentation et de la consommation marchés.
Pionniers dans le développement des relais à semi-conducteurs (SSR), ils sont devenus un fournisseur de premier plan dans les secteurs des télécommunications, de la sécurité, de la mesure des services publics et du contrôle industriel. Les solutions SSYS de la division de circuits intégrés IXYS remplacent rapidement les appareils électromécaniques plus anciens dans de nombreuses applications et améliorent les performances globales du système. Ils continuent à développer des produits leaders offrant des niveaux d'intégration et de performances électriques plus élevés.

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