IXDN55N120D1

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IXDN55N120D1

EXSHINE Modèle de produit:EX-IXDN55N120D1
Fabricant Modèle de produit:IXDN55N120D1
Fabricant / Marque:IXYS Corporation
Brève description:IGBT 1200V 100A W/DIODE SOT-227B
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:IXDN55N120D1
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IXDN55N120D1
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Paramètre du produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 55A
Package composant fournisseur SOT-227B
Séries -
Puissance - Max 450W
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
NTC thermistance No
Type de montage Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 12 Weeks
Référence fabricant IXDN55N120D1
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 3.3nF @ 25V
Contribution Standard
type de IGBT NPT
Description élargie IGBT Module NPT Single 1200V 100A 450W Chassis Mount SOT-227B
La description IGBT 1200V 100A W/DIODE SOT-227B
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 3.8mA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100A
Configuration Single

Autres

Emballage normal 10

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Distributeur de IXYS

- La division Circuits intégrés IXYS, anciennement Clare, Inc., une société IXYS, conçoit, fabrique et commercialise des circuits intégrés à haute tension et des relais à semi-conducteurs optiquement isolés (OptoMOS®) destinés aux secteurs de la communication, de l'industrie, de l'alimentation et de la consommation marchés.
Pionniers dans le développement des relais à semi-conducteurs (SSR), ils sont devenus un fournisseur de premier plan dans les secteurs des télécommunications, de la sécurité, de la mesure des services publics et du contrôle industriel. Les solutions SSYS de la division de circuits intégrés IXYS remplacent rapidement les appareils électromécaniques plus anciens dans de nombreuses applications et améliorent les performances globales du système. Ils continuent à développer des produits leaders offrant des niveaux d'intégration et de performances électriques plus élevés.

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