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IXFC96N15P

EXSHINE Modèle de produit:EX-IXFC96N15P
Fabricant Modèle de produit:IXFC96N15P
Fabricant / Marque:IXYS Corporation
Brève description:MOSFET N-CH 150V 42A ISPLUS220
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:IXFC96N15P
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IXFC96N15P
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur ISOPLUS220™
Séries PolarHT™ HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26 mOhm @ 48A, 10V
Dissipation de puissance (max) 120W (Tc)
Emballage Bulk
Package / Boîte ISOPLUS220™
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant IXFC96N15P
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3500pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 150V 42A (Tc) 120W (Tc) Through Hole ISOPLUS220™
Tension drain-source (Vdss) 150V
La description MOSFET N-CH 150V 42A ISPLUS220
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 42A (Tc)

Autres

Emballage normal 50

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Distributeur de IXYS

- La division Circuits intégrés IXYS, anciennement Clare, Inc., une société IXYS, conçoit, fabrique et commercialise des circuits intégrés à haute tension et des relais à semi-conducteurs optiquement isolés (OptoMOS®) destinés aux secteurs de la communication, de l'industrie, de l'alimentation et de la consommation marchés.
Pionniers dans le développement des relais à semi-conducteurs (SSR), ils sont devenus un fournisseur de premier plan dans les secteurs des télécommunications, de la sécurité, de la mesure des services publics et du contrôle industriel. Les solutions SSYS de la division de circuits intégrés IXYS remplacent rapidement les appareils électromécaniques plus anciens dans de nombreuses applications et améliorent les performances globales du système. Ils continuent à développer des produits leaders offrant des niveaux d'intégration et de performances électriques plus élevés.

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